Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 100 A 99 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
258-0632
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFR8403TRL
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.1mΩ

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

66nC

Maximale Verlustleistung Pd

99W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt und nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Merkmale machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Erweiterte Prozesstechnologie

Neuer extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Betriebstemperatur: 175 °C

Schnelles Schalten

Wiederholbare Avalanche Zulässig bis Tjmax

Bleifrei, RoHS-konform

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