Teile-Nr.

Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 25 V / 223 A, 8-Pin TSDSON

RS Best.-Nr.:: 258-0705
Herst. Teile-Nr.:: BSZ009NE2LS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 25 V / 223 A, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:: 258-0705
Herst. Teile-Nr.:: BSZ009NE2LS5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	223A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	25V
	Serie	BSZ
	Gehäusegröße	TSDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15mΩ
	Channel-Modus	N
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 223A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 25V
	Serie BSZ
	Gehäusegröße TSDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ
	Channel-Modus N
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSZ009NE2LS5ATMA1

Der 25-V-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon im kleinen PQFN-Gehäuse von 3,3 x 3 x 3 mm. Dieses Gerät bietet den branchenweit niedrigsten RDS(on) von 0,9 mΩ bei 10 V und richtet sich hauptsächlich an Or-ing- und Last-Schaltanwendungen.

Extrem niedrige Ladungen

Ideal für Hochleistungsanwendungen

RoHS-konform – halogenfrei

Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 25 V / 223 A, 8-Pin TSDSON

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