Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 40 A, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 259-1478
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ019N03LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
CHF.2’575.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 29. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | CHF.0.515 | CHF.2’572.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-1478
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ019N03LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | BSZ | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.9Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie BSZ | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.9Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon verfügt über eine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen, wodurch optimos 30 V die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Datenkommunikation und Telekommunikationsanwendungen ist. Die 30-V-Produkte von optimos sind durch ein verbessertes EMI-Verhalten sowie eine längere Batterielebensdauer auf die Anforderungen der Stromversorgung in Notebooks zugeschnitten. Erhältlich in Halbbrückenkonfiguration.
Erhöhte Batterielebensdauer
Verbesserte elektromagnetische Störungen machen externe Schnubber-Netzwerke obsolet
Kostenersparnis
Platzsparend
Verringerung der Leistungsverluste
Verwandte Links
- Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A PG-TSDSON-8-FL
- Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 40 A PG-TSDSON-8-FL
- Infineon N-Kanal MOSFET / 61 A PG-TSDSON-8 FL
- Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A, 8-Pin PG-TSDSON-8 FL
- Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 102 A PG-TSDSON-8-FL
- Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 64 A PG-TSDSON-8 FL
- Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 142 A, 8-Pin PG-TSDSON-8 FL
- Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 106 A, 8-Pin PG-TSDSON-8 FL
