Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 102 A, 8-Pin BSZ0902NSIATMA1 TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 259-1484
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ0902NSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.271 | CHF.6.35 |
| 50 - 120 | CHF.1.019 | CHF.5.07 |
| 125 - 245 | CHF.0.956 | CHF.4.76 |
| 250 - 495 | CHF.0.882 | CHF.4.43 |
| 500 + | CHF.0.462 | CHF.2.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-1484
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ0902NSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 102A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.8Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 102A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon verfügt über eine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen, wodurch der OptiMOS 25 V die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Daten- und Telekommunikationsanwendungen ist. Es ist auf die Anforderungen der Stromverwaltung in Notebooks zugeschnitten, indem es das EMI-Verhalten verbessert und die Batterielebensdauer verlängert.
Extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung
Niedrigster Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen
Einfach zu entwerfen
Erhöhte Batterielebensdauer
Verbesserte elektromagnetische Störungen machen externe Schnubber-Netzwerke obsolet
Kostenersparnis
Platzsparend
Verringerung der Leistungsverluste
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