Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 40 A, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 259-1480
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ019N03LSATMA1
- Marke:
- Infineon
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| 5 - 45 | CHF.0.84 | CHF.4.20 |
| 50 - 120 | CHF.0.746 | CHF.3.74 |
| 125 - 245 | CHF.0.588 | CHF.2.94 |
| 250 - 495 | CHF.0.494 | CHF.2.45 |
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- RS Best.-Nr.:
- 259-1480
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ019N03LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.9Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.9Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon verfügt über eine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen, wodurch optimos 30 V die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Datenkommunikation und Telekommunikationsanwendungen ist. Die 30-V-Produkte von optimos sind durch ein verbessertes EMI-Verhalten sowie eine längere Batterielebensdauer auf die Anforderungen der Stromversorgung in Notebooks zugeschnitten. Erhältlich in Halbbrückenkonfiguration.
Erhöhte Batterielebensdauer
Verbesserte elektromagnetische Störungen machen externe Schnubber-Netzwerke obsolet
Kostenersparnis
Platzsparend
Verringerung der Leistungsverluste
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