Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 158 A 83 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0709
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0709
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 158A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSZ | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.78V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 158A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSZ | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.78V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 40-V-Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS 6 ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Stromkreisen optimiert, wie z. B. synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen in Servern, Desktop-PCs, drahtlosen Ladegeräten, Schnellladegeräten und ORing-Stromkreisen. Verbesserungen des Widerstands im eingeschalteten Zustand ermöglichen es Entwicklern, die Effizienz zu erhöhen, was ein einfacheres thermisches Design und weniger Parallelbildung ermöglicht, was zu einer Senkung der Systemkosten führt.
Höchste Systemeffizienz
Weniger Parallelen erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Sehr niedrige Spannungsüberschreitung
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