Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 158 A 83 W, 8-Pin BSZ018N04LS6ATMA1 TSDSON

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258-0710
Herst. Teile-Nr.:
BSZ018N04LS6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

158A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

BSZ

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.78V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Die 40-V-Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS 6 ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Stromkreisen optimiert, wie z. B. synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen in Servern, Desktop-PCs, drahtlosen Ladegeräten, Schnellladegeräten und ORing-Stromkreisen. Verbesserungen des Widerstands im eingeschalteten Zustand ermöglichen es Entwicklern, die Effizienz zu erhöhen, was ein einfacheres thermisches Design und weniger Parallelbildung ermöglicht, was zu einer Senkung der Systemkosten führt.

Höchste Systemeffizienz

Weniger Parallelen erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Sehr niedrige Spannungsüberschreitung

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