Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 40 A 63 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0717
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ084N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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| 100 - 198 | CHF.1.434 | CHF.2.87 |
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0717
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ084N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.4mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.86V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.4mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.86V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 80-V-Industrie-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon bietet eine Reduzierung des RDS(on) von 43 % im Vergleich zu früheren Generationen und ist ideal für hohe Schaltfrequenzen geeignet. Die Geräte dieser Familie wurden speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilen entwickelt. Darüber hinaus können sie auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.
Höchste Systemeffizienz
Geringere Schalt- und Leitungsverluste
Weniger Parallelführung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
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