Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 40 A 63 W, 8-Pin BSZ084N08NS5ATMA1 TSDSON

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Herst. Teile-Nr.:
BSZ084N08NS5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

BSZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.4mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.86V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Der 80-V-Industrie-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon bietet eine Reduzierung des RDS(on) von 43 % im Vergleich zu früheren Generationen und ist ideal für hohe Schaltfrequenzen geeignet. Die Geräte dieser Familie wurden speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilen entwickelt. Darüber hinaus können sie auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.

Höchste Systemeffizienz

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

Weniger Parallelführung erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

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