Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 26 A IPAN60R360PFD7SXKSA1 TO-220

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RS Best.-Nr.:
258-3782
Herst. Teile-Nr.:
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPA

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das CoolMOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Der CoolMOS PFD7 Super-Junction-MOSFET in einem TO-220 FullPAK NL-Gehäuse erreicht niedrige Schaltverluste mit einem RDS(on) von 360 mOhm. Die 600-V-CoolMOS PFD7 wird mit einer integrierten schnellen Gehäuse-Diode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet und wiederum die Materialkosten für den Kunden reduziert. Diese Produktfamilie ist auf extrem hohe Leistungsdichte sowie Designs mit höchster Effizienz zugeschnitten. Die Produkte richten sich hauptsächlich an Ladegeräte mit extrem hoher Dichte, Adapter und Motorantriebe mit geringer Leistungsaufnahme. Der 600-V-CoolMOS PFD7 bietet einen verbesserten Wirkungsgrad bei leichter und voller Last über CoolMOS P7- und CE-MOSFET-Technologien, was zu einer Erhöhung der Leistungsdichte um 1,8 W/Zoll3 führt.

Ausgezeichnete Schaltfestigkeit

Niedrige elektromagnetische Störungen

Breites Paketportfolio

BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung

Robustheit und Zuverlässigkeit

Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung des Designs

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