Infineon IPA Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 600 V / 13.8 A TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 259-1538
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R280P6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.82.45
Auf Lager
- 350 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.649 | CHF.82.48 |
| 100 - 200 | CHF.1.565 | CHF.78.38 |
| 250 - 450 | CHF.1.502 | CHF.75.08 |
| 500 - 950 | CHF.1.407 | CHF.70.14 |
| 1000 + | CHF.1.323 | CHF.65.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-1538
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R280P6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPA | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPA | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600v coolmos p6-Leistungstransistor ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs und wurde nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt und von Infineon-Technologien vorgestellt. Es hat extrem geringe Schalt- und Leitfähigkeit, Verluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler.
Erhöhte Robustheit des MOSFET dv/dt
Extrem niedrige Verluste aufgrund sehr niedriger FOM Rdson Qg und Eoss
Sehr hohe Schaltfestigkeit
Einfache Bedienung/Antrieb
Verwandte Links
- Infineon N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13,8 A PG-TO 220 FullPAK
- Infineon MOSFET Transistor / 14,1 A PG-TO 220 FullPAK
- Infineon MOSFET Transistor / 14,7 A PG-TO 220 FullPAK
- Infineon MOSFET Transistor / 10,1 A PG-TO 220 FullPAK
- Infineon MOSFET Transistor / 24,8 A PG-TO 220 FullPAK
- Infineon, SMD MOSFET 800 V / 5,7 A PG-TO 220 FullPAK
- Infineon MOSFET Transistor / 18 A PG-TO 220
- Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13,8 A, 3-Pin TO-247
