Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 44 A TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-3770
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA083N10N5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.911 | CHF.95.66 |
| 100 - 200 | CHF.1.533 | CHF.76.55 |
| 250 - 450 | CHF.1.449 | CHF.72.71 |
| 500 - 950 | CHF.1.376 | CHF.68.88 |
| 1000 + | CHF.1.323 | CHF.65.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3770
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA083N10N5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 44A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die industriellen OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon in 80 V und 100 V wurden für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilanwendungen entwickelt, sind aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantriebe und Laptop-Adapter.
Ideal für hohe Schaltfrequenz
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
Geringere Schalt- und Leitungsverluste
Weniger Parallelführung erforderlich
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