Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 44 A TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.95.55

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 250 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.1.911CHF.95.66
100 - 200CHF.1.533CHF.76.55
250 - 450CHF.1.449CHF.72.71
500 - 950CHF.1.376CHF.68.88
1000 +CHF.1.323CHF.65.99

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-3770
Herst. Teile-Nr.:
IPA083N10N5XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IPA

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die industriellen OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon in 80 V und 100 V wurden für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilanwendungen entwickelt, sind aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantriebe und Laptop-Adapter.

Ideal für hohe Schaltfrequenz

Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

Weniger Parallelführung erforderlich

Verwandte Links