Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 44 A TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.4.364

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 274 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.2.182CHF.4.36
20 - 48CHF.1.959CHF.3.93
50 - 98CHF.1.838CHF.3.68
100 - 198CHF.1.707CHF.3.41
200 +CHF.1.596CHF.3.19

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3772
Herst. Teile-Nr.:
IPA083N10N5XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IPA

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die industriellen OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon in 80 V und 100 V wurden für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilanwendungen entwickelt, sind aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantriebe und Laptop-Adapter.

Ideal für hohe Schaltfrequenz

Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

Weniger Parallelführung erforderlich

Verwandte Links