Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 80 V / 260 A 375 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3784P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB015N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.64.44
Auf Lager
- 1'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 24 | CHF.6.44 |
| 25 - 49 | CHF.6.30 |
| 50 - 99 | CHF.5.89 |
| 100 + | CHF.5.40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3784P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB015N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 260A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 178nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.86V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 260A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.86V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 80-V-Industrie-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon bietet eine Reduzierung des RDS(on) von 43 % im Vergleich zu früheren Generationen und ist ideal für hohe Schaltfrequenzen geeignet. Die Geräte dieser Familie wurden speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilen entwickelt. Darüber hinaus können sie auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.
Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste
Weniger Parallelen erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Niederspannungsüberschreitung
Verwandte Links
- Pilz PNOZ s4 Sicherheitsrelais, 24V dc, 2-Kanal, 3 Sicherheitskontakte Not-Aus, 1 Hilfsschalter, 4 ISO 13849-1,
- nVent RAYCHEM Begleitheizung Anschlussset CE-02, 240 x 47 x 64mm, 240mm x 64mm x 47mm
- RS PRO Serie 2 Alu Strebenprofil 20 x 20 mm, 4-fach Nut 5mm, Länge 1000mm
- RS PRO Serie 2 Alu Strebenprofil 40 x 40 mm, 4-fach Nut 8mm, Länge 1000mm
- Carling Tafelmontage Wippschalter, 2-poliger Wechsler Ein-(Ein), 15 A 21.08mm x 36.83mm beleuchtet, IP66, IP68
- Allen Bradley SMC-3 Sanftstarter 3-phasig 11 kW, 460 V ac / 25 A, Automatik
- nVent RAYCHEM Rohrbegleitheizung Set, selbstregulierend, Warmwassererhaltung, 9W, 20m, 230V ac
- ETI DIAZED-Sicherung, Typ DIII, Anwendungsbereich gG - gL, 63A, 500V ac, E33 Gewinde