Infineon IPD N-Kanal MOSFET N 100 V / 59 A 94 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.3.414

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1'262 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF 1.707CHF 3.41
20 - 48CHF 1.535CHF 3.07
50 - 98CHF 1.424CHF 2.85
100 - 198CHF 1.333CHF 2.66
200 +CHF 1.232CHF 2.48

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3833
Herst. Teile-Nr.:
IPD122N10N3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

59A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.2mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

94W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Die OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächsten besten Technologie erreicht diese Familie eine Reduzierung von 30 % sowohl bei R DS(on) als auch bei FOM.

Ausgezeichnete Schaltleistung

Weniger Parallelführung erforderlich

Kleinster Platinenplatzverbrauch

Einfach zu entwerfende Produkte

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.