Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET N 100 V / 59 A 94 W, 3-Pin IPD122N10N3GATMA1 TO-252

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258-3833
Herst. Teile-Nr.:
IPD122N10N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

59A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.2mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Maximale Verlustleistung Pd

94W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Die OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächsten besten Technologie erreicht diese Familie eine Reduzierung von 30 % sowohl bei R DS(on) als auch bei FOM.

Ausgezeichnete Schaltleistung

Weniger Parallelführung erforderlich

Kleinster Platinenplatzverbrauch

Einfach zu entwerfende Produkte

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