Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET N 100 V / 59 A 94 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3833
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD122N10N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.1.218 | CHF.2.45 |
| 20 - 48 | CHF.1.092 | CHF.2.20 |
| 50 - 98 | CHF.1.019 | CHF.2.04 |
| 100 - 198 | CHF.0.945 | CHF.1.90 |
| 200 + | CHF.0.882 | CHF.1.76 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3833
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD122N10N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 59A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.2mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 94W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.2mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 94W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächsten besten Technologie erreicht diese Familie eine Reduzierung von 30 % sowohl bei R DS(on) als auch bei FOM.
Ausgezeichnete Schaltleistung
Weniger Parallelführung erforderlich
Kleinster Platinenplatzverbrauch
Einfach zu entwerfende Produkte
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