Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 4.5 A TO-252

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RS Best.-Nr.:
258-3855
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

210mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das CoolMOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Der CoolMOS PFD7 Super-Junction-MOSFET in einem TO 252 DPAK-Gehäuse verfügt über einen RDS(on) von 2000 mOhm, was zu niedrigen Schaltverlusten führt. Eine implementierte schnelle Gehäusediode sichert ein robustes Gerät und verringert so den Materialaufwand für den Kunden. Darüber hinaus trägt unser branchenführendes SMD-Gehäuse zu Platzersparnissen auf der Leiterplatte bei und vereinfacht die Fertigung. Diese Produktfamilie ist auf extrem hohe Leistungsdichte sowie Designs mit höchster Effizienz zugeschnitten. Die Produkte richten sich hauptsächlich an Ladegeräte mit extrem hoher Dichte, Adapter und Motorantriebe mit geringer Leistungsaufnahme.

Großer Bereich von RDS(on)-Werten

Ausgezeichnete Schaltfestigkeit

Niedrige elektromagnetische Störungen

Breites Paketportfolio

BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung

Robustheit und Zuverlässigkeit

Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung des Designs

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