Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 24 A IPD60R360PFD7SAUMA1 TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.5.565

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2’395 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.1.113CHF.5.56
50 - 120CHF.0.882CHF.4.39
125 - 245CHF.0.819CHF.4.11
250 - 495CHF.0.767CHF.3.83
500 +CHF.0.704CHF.3.51

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3858
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R360PFD7SAUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

210mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das CoolMOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Der CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET in einem TO-252 DPAK-Gehäuse verfügt über einen RDS(on) von 360 mOhm, was zu niedrigen Schaltverlusten führt. Die Produkte werden mit einer integrierten schnellen Gehäuse-Diode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet. Die schnelle Gehäuse-Diode und das branchenführende SMD-Gehäuse von Infineon reduzieren den Platz auf der Leiterplatte und verringern so die Materialkosten des Kunden. Diese Produktfamilie ist auf extrem hohe Leistungsdichte sowie Designs mit höchster Effizienz zugeschnitten. Die Produkte richten sich hauptsächlich an Ladegeräte mit extrem hoher Dichte, Adapter und Motorantriebe mit geringer Leistungsaufnahme. Der 600-V-CoolMOS PFD7 bietet einen verbesserten Wirkungsgrad bei leichter und voller Last über CoolMOS P7- und CE-MOSFET-Technologien, was zu einer Erhöhung der Leistungsdichte um 1,8 W/Zoll3 führt.

Ausgezeichnete Schaltfestigkeit

Niedrige elektromagnetische Störungen

Breites Paketportfolio

BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung

Robustheit und Zuverlässigkeit

Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung des Designs

Verwandte Links