Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 24 A TO-252

Der Infineon 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das CoolMOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Der CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET in einem TO-252 DPAK-Gehäuse verfügt über einen RDS(on) von 360 mOhm, was zu niedrigen Schaltverlusten führt. Die Produkte werden mit einer integrierten schnellen Gehäuse-Diode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet. Die schnelle Gehäuse-Diode und das branchenführende SMD-Gehäuse von Infineon reduzieren den Platz auf der Leiterplatte und verringern so die Materialkosten des Kunden. Diese Produktfamilie ist auf extrem hohe Leistungsdichte sowie Designs mit höchster Effizienz zugeschnitten. Die Produkte richten sich hauptsächlich an Ladegeräte mit extrem hoher Dichte, Adapter und Motorantriebe mit geringer Leistungsaufnahme. Der 600-V-CoolMOS PFD7 bietet einen verbesserten Wirkungsgrad bei leichter und voller Last über CoolMOS P7- und CE-MOSFET-Technologien, was zu einer Erhöhung der Leistungsdichte um 1,8 W/Zoll3 führt.

Ausgezeichnete Schaltfestigkeit