Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 20 A 81 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-3894
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R160P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.565 | CHF.78.12 |
| 100 - 200 | CHF.1.407 | CHF.70.30 |
| 250 + | CHF.1.323 | CHF.66.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3894
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R160P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 160mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600 V CoolMOS P7 Super Junction MOSFET ist der Nachfolger der 600 V CoolMOS P6-Serie. Er sorgt weiterhin für eine Balance zwischen dem Bedarf an hoher Effizienz und der Benutzerfreundlichkeit im Entwurfsprozess. Der beste RonxA in seiner Klasse und die eigentlich niedrige Gate-Ladung der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für eine hohe Effizienz.
Integrierter Gate-Widerstand RG
Robuste Gehäusediode
Breites Portfolio in Durchgangsbohrungs- und SMD-Gehäusen
Einfache Bedienung in Fertigungsumgebungen durch Verhinderung von ESD-Ausfällen
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