Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 5 A 43 W TO-252

RS Best.-Nr.:: 258-3981
Herst. Teile-Nr.:: IRFR220NTRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 5 A 43 W TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

CHF.672.00

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 23. März 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2000 - 2000	CHF.0.336	CHF.682.50
4000 - 4000	CHF.0.326	CHF.648.90
6000 +	CHF.0.305	CHF.606.90

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 258-3981
Herst. Teile-Nr.:: IRFR220NTRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	600mΩ
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	43W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	15nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 43W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFR220NTRPBF

Die Infineon MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Abmessungen nach Industriestandard für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Erhöhte Robustheit

Große Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Qualifikationsstufe nach Industriestandard

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 5 A 43 W TO-252

Verwandte Links