Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 61 A 120 W IRLR3915TRPBF TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.3.402

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1’472 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.1.701CHF.3.40
20 - 48CHF.1.554CHF.3.10
50 - 98CHF.1.449CHF.2.89
100 - 198CHF.1.344CHF.2.69
200 +CHF.1.239CHF.2.48

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3999
Herst. Teile-Nr.:
IRLR3915TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

61A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

120W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Distrelec Product Id

304-40-553

Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Produkts sind eine Betriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Wiederholungs-Avalanche-Einstufung. Diese Merkmale machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Erweiterte Prozesstechnologie

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelles Schalten

Verwandte Links