Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 27 A 68 W IRFR4105TRPBF TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

CHF.19.70

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 10’150 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 +CHF.0.788CHF.19.58

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3111
Herst. Teile-Nr.:
IRFR4105TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

27A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Durchlassspannung Vf

0.045V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.22mm

Länge

6.73mm

Breite

2.39 mm

Automobilstandard

Nein

Der 55-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Sie nutzt Advanced Processing Techniken, um den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser MOSFET wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Fast Switching

Ohne Leitung

Verwandte Links