Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 27 A 68 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
218-3110
Herst. Teile-Nr.:
IRFR4105TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

27A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.045V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

6.22mm

Breite

2.39 mm

Automobilstandard

Nein

Der 55-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Sie nutzt Advanced Processing Techniken, um den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser MOSFET wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Fast Switching

Ohne Leitung

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