Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 27 A 68 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 218-3110
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR4105TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 218-3110
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR4105TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 27A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 0.045V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 0.045V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 55-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Sie nutzt Advanced Processing Techniken, um den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser MOSFET wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Fast Switching
Ohne Leitung
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