Infineon OptiMOS-TM3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 100 V / 18 A 29 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 258-7030
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ440N10NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 29W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 29W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS 3 von Infineon bietet überlegene Lösungen für SMPS mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächsten besten Technologie erreicht dieses Produkt eine Reduzierung von 30 Prozent sowohl bei Rds on als auch bei FOM.
Ausgezeichnete Schaltleistung
Weltweit niedrigste RDS im eingeschalteten Zustand
RoHS-konform, halogenfrei
MSL1-Schutzart 2
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