Infineon OptiMOS-TM3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin PG-TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 273-7467
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP086N10N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.3.394
Auf Lager
- 454 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF 1.697 | CHF 3.38 |
| 10 - 18 | CHF 1.515 | CHF 3.04 |
| 20 - 98 | CHF 1.495 | CHF 2.99 |
| 100 - 248 | CHF 1.222 | CHF 2.44 |
| 250 + | CHF 1.091 | CHF 2.17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7467
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP086N10N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Gehäusegröße | PG-TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Länge | 40mm | |
| Breite | 40mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Gehäusegröße PG-TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Länge 40mm | ||
Breite 40mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC1 für die Zielanwendung qualifiziert. Er ist ein N-Kanal-MOSFET und halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-konform
Hervorragende Gate-Ladung
Sehr niedriger Durchgangswiderstand
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin PG-TO-220
- Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 100 V / 18 A 29 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 45 A 79 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 63 A 46 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 114 A 63 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 63 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 15 A 38 W, 3-Pin PG-TO-220
- Infineon OptiMOS 7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 220 A 217 W, 8-Pin PG-TDSON-8-53