Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin PG-TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 273-7467
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP086N10N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.1.722 | CHF.3.43 |
| 10 - 18 | CHF.1.554 | CHF.3.10 |
| 20 - 98 | CHF.1.512 | CHF.3.04 |
| 100 - 248 | CHF.1.239 | CHF.2.49 |
| 250 + | CHF.1.103 | CHF.2.21 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7467
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP086N10N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-220 | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Breite | 40 mm | |
| Länge | 40mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PG-TO-220 | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Breite 40 mm | ||
Länge 40mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC1 für die Zielanwendung qualifiziert. Er ist ein N-Kanal-MOSFET und halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-konform
Hervorragende Gate-Ladung
Sehr niedriger Durchgangswiderstand
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