Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 45 A 79 W, 3-Pin IPD135N08N3GATMA1 TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

CHF.12.82

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 22’700 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 80CHF.0.641CHF.12.81
100 - 180CHF.0.609CHF.12.18
200 - 480CHF.0.588CHF.11.66
500 - 980CHF.0.557CHF.11.15
1000 +CHF.0.515CHF.10.37

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3041
Herst. Teile-Nr.:
IPD135N08N3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS-TM3

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.5mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie. OptiMOS ist der Marktführer in hocheffizienten Lösungen für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), Stromversorgung (z. B. Server und Telekommunikation) und Stromverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug).

N-Kanal, normale

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Pb-frei Beschichtung

Verwandte Links