Teile-Nr.

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 50 A TO-263

RS Best.-Nr.:: 258-7078
Herst. Teile-Nr.:: IPD060N03LGATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 50 A TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

CHF.630.00

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 01. Juni 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2500 +	CHF.0.252	CHF.632.63

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 258-7078
Herst. Teile-Nr.:: IPD060N03LGATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	50A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	IPD
	Montageart	Oberfläche
	Channel-Modus	N
	Normen/Zulassungen	No
	Distrelec Product Id	304-40-506
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie IPD
	Montageart Oberfläche
	Channel-Modus N
	Normen/Zulassungen No
	Distrelec Product Id 304-40-506
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD060N03LGATMA1

Der OptiMOS 3-Leistungs-MOSFET von Infineon hat eine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen, womit er die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Daten- und Telekommunikationsanwendungen ist.

Erhöhte Batterielebensdauer

Geringer Leistungsverlust

Einfach in der Planung

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 50 A TO-263

Verwandte Links