Teile-Nr.

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 50 A TO-263

RS Best.-Nr.:: 258-7772
Herst. Teile-Nr.:: IPD060N03LGATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 50 A TO-263

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RS Best.-Nr.:: 258-7772
Herst. Teile-Nr.:: IPD060N03LGATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	50A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	IPD
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Channel-Modus	N
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie IPD
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Channel-Modus N
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD060N03LGATMA1

Der OptiMOS 3-Leistungs-MOSFET von Infineon hat eine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen, womit er die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Daten- und Telekommunikationsanwendungen ist.

Erhöhte Batterielebensdauer

Geringer Leistungsverlust

Einfach in der Planung

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 50 A TO-263

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