Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 40 A, 8-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-7681
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC252N10NSFGATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.323 | CHF.6.62 |
| 50 - 120 | CHF.1.197 | CHF.5.96 |
| 125 - 245 | CHF.0.788 | CHF.3.96 |
| 250 - 495 | CHF.0.662 | CHF.3.32 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-7681
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC252N10NSFGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | BSC | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 25.2mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie BSC | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 25.2mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET OptiMOS von Infineon bietet überlegene Lösungen für SMPS mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächstbesten Technologie erreicht diese MOSFET-Familie eine Reduzierung von 30 Prozent sowohl bei RDS(on) als auch bei der Leistungszahl.
Hervorragendes Schaltverhalten
Weltweit niedrigster RDS auf
RoHS-konform und halogenfrei
MSL1 bewertet 2
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