Infineon BSC Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 17 A, 8-Pin PG-TISON-8
- RS Best.-Nr.:
- 259-1476
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0921NDIATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 259-1476
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0921NDIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PG-TISON-8 | |
| Serie | BSC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PG-TISON-8 | ||
Serie BSC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon optimos 25 V ist die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Daten- und Telekommunikationsanwendungen. Erhältlich in Halbbrückenkonfiguration (Leistungsstufe 5 x 6). Verbesserte elektromagnetische Störungen machen externe Schnubber-Netzwerke obsolet.
Extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung
Niedrigster Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen
Einfach zu entwerfen
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