Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 80 V / 129 A TO-252

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RS Best.-Nr.:
259-2598
Herst. Teile-Nr.:
IPD040N08NF2SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

129A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

P

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFETs Infineon StrongIRFET 2 sind für eine Vielzahl von Anwendungen wie SMPS, Motorantrieb, Batteriebetrieb, Batteriemanagement, USV und leichte Elektrofahrzeuge optimiert. Diese neue Technologie bietet eine Verbesserung der RDS(on) von bis zu 40 Prozent und eine bis zu 60 Prozent niedrigere Qg im Vergleich zu den vorherigen StrongIRFET-Geräten, was sich in einer höheren Energieeffizienz für eine verbesserte Gesamtsystemleistung niederschlägt. Erhöhte Nennströme ermöglichen eine höhere Strombelastbarkeit und eliminieren die Notwendigkeit, mehrere Geräte parallel zu betreiben, was zu niedrigeren BOM-Kosten und Einsparungen auf der Platine führt.

Große Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Ausgezeichnetes Preis/Leistungs-Verhältnis

Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenzen

Durchgangsbohrungsgehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

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