Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 122 A 214 W, 8-Pin HSOG

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RS Best.-Nr.:
259-2739
Herst. Teile-Nr.:
IPTG063N15NM5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

122A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

HSOG

Serie

IPT

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.3mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50nC

Durchlassspannung Vf

0.84V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC 61249-2-21

Breite

8.75 mm

Länge

10.1mm

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

Nein

Die industriellen OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon in 80 V und 100 V wurden für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilanwendungen entwickelt, sind aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantriebe und Laptop-Adapter. Mit einem breiten Gehäuseportfolio bietet diese Leistungs-MOSFET-Familie den branchenweit niedrigsten RDS(on). Einer der größten Beiträge zu dieser branchenführenden Leistung (FOM) ist der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand mit einem Wert von nur 2,7 mΩ im SuperSO8-Gehäuse, der das höchste Maß an Leistungsdichte und Effizienz bietet.

N-Kanal, normaler Pegel

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on)

Überlegener Wärmewiderstand

100 % Lawinengeprüft

Bleifreie Kabelbeschichtung; RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-22

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