Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 313 A 214 W, 8-Pin PG-HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
273-5352
Herst. Teile-Nr.:
IPT012N06NATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

313A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Serie

IPT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon Power MOSFET ist für Hochstromanwendungen wie Gabelstapler, leichte Elektrofahrzeuge, POL und Telekommunikation optimiert. Dieses Gehäuse ist eine perfekte Lösung für Hochleistungsanwendungen, bei denen höchste Effizienz, hervorragendes EMI-Verhalten sowie bestes thermisches Verhalten und Platzreduzierung erforderlich sind. Es ist gemäß JEDEC1 für Zielanwendungen qualifiziert.

Halogenfrei

RoHS-konform

Bleifreie Kabelbeschichtung

Überlegene Wärmebeständigkeit

100 % Lawinengeprüft

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