Infineon, Oberfläche MOSFET 2000 V / 50 A AG-EASY3B

RS Best.-Nr.:: 260-1092
Herst. Teile-Nr.:: DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Marke:: Infineon

Infineon, Oberfläche MOSFET 2000 V / 50 A AG-EASY3B

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RS Best.-Nr.:: 260-1092
Herst. Teile-Nr.:: DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	50A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	2000V
	Gehäusegröße	AG-EASY3B
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	26.5mΩ
	Durchlassspannung Vf	6.15V
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 2000V
	Gehäusegröße AG-EASY3B
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 26.5mΩ
	Durchlassspannung Vf 6.15V
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

Der Infineon MOSFET verfügt über eine 4-polige Boost-Konfiguration in einem Easy 3B-Gehäuse und wird mit der neuesten CoolSiC M1H-Generation geliefert. Der 2000-V-SiC-MOSFET hat die gleiche Leistung und die gleichen Vorteile wie die 1200-V-Serie M1H inkl. 12 % niedrigerer RDS(on) bei 125 °C, größerer Gate-Quelle-Spannungsbereich für höhere Flexibilität, eine maximale Schnitttemperatur von 175 °C und kleinere Chipgrößen.

Hohe Stromdichte

Bauweise mit geringer Induktivität

Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklemmen

Infineon, Oberfläche MOSFET 2000 V / 50 A AG-EASY3B

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