Infineon, Oberfläche MOSFET 2000 V / 50 A AG-EASY3B

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260-1093
Herst. Teile-Nr.:
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

2000V

Gehäusegröße

AG-EASY3B

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26.5mΩ

Durchlassspannung Vf

6.15V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET verfügt über eine 4-polige Boost-Konfiguration in einem Easy 3B-Gehäuse und wird mit der neuesten CoolSiC M1H-Generation geliefert. Der 2000-V-SiC-MOSFET hat die gleiche Leistung und die gleichen Vorteile wie die 1200-V-Serie M1H inkl. 12 % niedrigerer RDS(on) bei 125 °C, größerer Gate-Quelle-Spannungsbereich für höhere Flexibilität, eine maximale Schnitttemperatur von 175 °C und kleinere Chipgrößen.

Hohe Stromdichte

Bauweise mit geringer Induktivität

Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklemmen

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