Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 198 A 300 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 260-1206
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP014N06NF2SAKMA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.9.11
Auf Lager
- 894 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.4.555 | CHF.9.11 |
| 20 - 48 | CHF.4.101 | CHF.8.19 |
| 50 - 98 | CHF.3.818 | CHF.7.65 |
| 100 - 198 | CHF.3.555 | CHF.7.10 |
| 200 + | CHF.3.283 | CHF.6.57 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-1206
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP014N06NF2SAKMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 198A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 0.88V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 203nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.75mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 198A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 0.88V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 203nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.75mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist gemäß JEDEC-Standard qualifiziert und für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert.
Bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei
Verwandte Links
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 198 A 300 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET / 84 A TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 80 A TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 500 V / 9.9 A TO-220
- Infineon IPP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 62 A 300 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET 650 V / 50 A 227 W TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 109 A 107 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 119 A 150 W, 3-Pin TO-220