Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 190 A 319 W, 8-Pin TOLG
- RS Best.-Nr.:
- 260-2673
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG039N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 1800 Stück)*
CHF.6’975.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 21. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1800 + | CHF.3.875 | CHF.6’977.88 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-2673
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG039N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TOLG | |
| Serie | IPT | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.9mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.81V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 74nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 319W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TOLG | ||
Serie IPT | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.81V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 74nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 319W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon-MOSFET wird in einem verbesserten TO-verdrahteten Gehäuse mit Gullwing-Kabeln geliefert, die eine kompatible Abmessung gegenüber TO-verdrahteten haben, was eine ausgezeichnete elektrische Leistung ermöglicht. Es handelt sich um eine erstklassige Technologie mit hohem Nennstrom.
Hohe Leistungsfähigkeit
Hohe Systemzuverlässigkeit
Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen
Optimierte Platinennutzung
Verwandte Links
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 190 A 319 W, 8-Pin IPTG039N15NM5ATMA1 TOLG
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 319 V / 190 A 319 W, 16-Pin TO-263
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 319 V / 190 A 319 W, 16-Pin IPTC039N15NM5ATMA1 TO-263
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 190 A 81 W, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 190 A 81 W, 8-Pin IPT039N15N5ATMA1 HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 143 A 250 W, 16-Pin HDSOP
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 143 A 250 W, 8-Pin HSOG
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 122 A 214 W, 8-Pin HSOG