Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 50 V / 410 A SOT
- RS Best.-Nr.:
- 260-4741P
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMNR90-50SLH
- Marke:
- Nexperia
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 98 | CHF.6.006 |
| 100 - 248 | CHF.5.702 |
| 250 - 998 | CHF.5.597 |
| 1000 + | CHF.4.809 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-4741P
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMNR90-50SLH
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 410A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | SOT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 410A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße SOT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der N-Kanal-MOSFET-Verbesserungsmodus des Nexperia-Logikpegel-Gate-Antriebs in 175 °C LFPAK88-Gehäuse. Teil der ASFETs für Batterieisolierung und Gleichstrommotor-Steuerungsfamilie und mit der einzigartigen Schottky-Plus-Technologie von Nexperia, die einen hohen Wirkungsgrad und eine geringe Spitzenleistung bietet, die üblicherweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, jedoch ohne problematischen hohen Leckstrom. Der ASFET ist besonders geeignet für batteriebetriebene 36-V-Anwendungen, die eine starke Avalanche-Fähigkeit, lineare Modusleistung, den Einsatz bei hohen Schaltfrequenzen sowie eine sichere und zuverlässige Schaltung bei hohem Laststrom erfordern.
Super-schnelles Schalten mit Weichgehäuse-Diodenwiederherstellung
Sehr starker Linearmodus