Infineon iPB N-Kanal MOSFET Erweiterung 60 V / 180 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-5120P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 48 | CHF 4.363 |
| 50 - 98 | CHF 4.091 |
| 100 - 198 | CHF 3.788 |
| 200 + | CHF 3.545 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5120P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die N-Kanal-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er hat die höchste Strombelastbarkeit. Dieser N-Kanal-MOSFET-Transistor arbeitet im Verstärkungsmodus.
N-Kanal-Verbesserungsmodus
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