STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 261-4760
- Herst. Teile-Nr.:
- STP65N150M9
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.4.032
Auf Lager
- 96 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 + | CHF.4.03 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 261-4760
- Herst. Teile-Nr.:
- STP65N150M9
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 28.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.6mm | ||
Breite 10.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 28.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET basiert auf der innovativsten Super-Junction MDmesh M9-Technologie, die für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Bereich geeignet ist. Die siliziumbasierte M9-Technologie profitiert von einem Mehrfachdrain-Herstellungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht. Das resultierende Produkt hat einen der niedrigsten Widerstände im eingeschalteten Zustand und einen reduzierten Gate-Ladungswert unter allen siliziumbasierten Super-Junction-Leistungs-MOSFETs mit schnellem Schalten, womit es besonders geeignet für Anwendungen ist, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.
Alle Funktionen
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 17 A 125 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 140 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 17 A 30 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 245 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 140 W, 3-Pin STP80N240K6 TO-220
- STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 245 W, 3-Pin STP65N045M9 TO-220
- STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 245 W, 3-Pin STP60N043DM9 TO-220