STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 10 A Band und Rolle

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RS Best.-Nr.:
261-5044
Herst. Teile-Nr.:
STD80N450K6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

Band und Rolle

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

380mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen, proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine dramatische Verringerung des Widerstands im eingeschalteten Zustand und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Weltweit beste RDS(on) x Fläche

Weltweit beste FOM (Figure of Merit)

Extrem niedrige Gate-Ladung

100-prozentig Lawinengeprüft

Zener-geschützt

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