STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 12 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 261-5527
- Herst. Teile-Nr.:
- STD80N340K6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.4.085 | CHF.8.17 |
| 10 - 98 | CHF.3.675 | CHF.7.35 |
| 100 - 248 | CHF.3.308 | CHF.6.62 |
| 250 - 498 | CHF.2.972 | CHF.5.94 |
| 500 + | CHF.2.667 | CHF.5.35 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 261-5527
- Herst. Teile-Nr.:
- STD80N340K6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 340mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 340mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics mit Super-Junction-Technologie. Mit erstklassigem Einschaltwiderstand pro Bereich und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
Extrem niedrige Gate-Ladung
100 % Lawinengeprüft
Zener-geschützt
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