ROHM RD3L03BBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 50 A 50 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
261-9333
Herst. Teile-Nr.:
RD3L03BBGTL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

RD3L03BBG

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.3mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

Pb-Free Plating, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der ROHM RD3L03BBG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltungen. Die Lagertemperatur reicht von -55 °C bis +150 °C.

Die Anzahl der Anschlussklemmen beträgt 3

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei

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