ROHM RD3G03BBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 65 A 50 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 261-9330
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G03BBGTL1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.23
Auf Lager
- Zusätzlich 2'470 Einheit(en) mit Versand ab 08. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.646 | CHF.8.24 |
| 50 - 95 | CHF.1.485 | CHF.7.43 |
| 100 - 245 | CHF.1.192 | CHF.5.94 |
| 250 - 995 | CHF.1.172 | CHF.5.84 |
| 1000 + | CHF.0.97 | CHF.4.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 261-9330
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G03BBGTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | RD3G03BBG | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.5mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie RD3G03BBG | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.5mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM RD3G03BBG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltungen. Die Lagertemperatur reicht von -55 °C bis +150 °C.
Die Anzahl der Anschlussklemmen beträgt 3
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei
Verwandte Links
- ROHM RD3G03BBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 65 A 50 W TO-252
- ROHM RD3L03BBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 50 A 50 W TO-252
- ROHM RD3L07BBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 115 A 102 W TO-252
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A, 3-Pin TO-252
- ROHM R8007 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 800 V / 7 A 140 W, 3-Pin TO-252
- ROHM R65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V 26 W, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 53 W, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 53 W, 3-Pin TO-252