ROHM RD3G03BBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 65 A 50 W RD3G03BBGTL1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
RD3G03BBGTL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

RD3G03BBG

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der ROHM RD3G03BBG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltungen. Die Lagertemperatur reicht von -55 °C bis +150 °C.

Die Anzahl der Anschlussklemmen beträgt 3

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei

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