Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 65 A 107 W, 3-Pin TK65S04N1L TO-252

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171-2494
Herst. Teile-Nr.:
TK65S04N1L
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

107W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.5mm

Breite

7 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
JP
AnwendungsbereichKfzMotortreiberSchaltspannungsreglerMerkmaleNiedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 3,3 Ω (typ.Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)Verbesserungsmodus: Vth = 1,5 bis 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)

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