Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 65 A 107 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 171-2494
- Herst. Teile-Nr.:
- TK65S04N1L
- Marke:
- Toshiba
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| 10 - 40 | CHF 1.364 | CHF 13.64 |
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| 100 - 990 | CHF 1.02 | CHF 10.24 |
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- RS Best.-Nr.:
- 171-2494
- Herst. Teile-Nr.:
- TK65S04N1L
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 107W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 7mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 107W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 7mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- JP
AnwendungsbereichKfzMotortreiberSchaltspannungsreglerMerkmaleNiedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 3,3 Ω (typ.Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)Verbesserungsmodus: Vth = 1,5 bis 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)
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