Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 122 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 262-5857
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB023N04NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.394 | CHF.11.97 |
| 50 - 120 | CHF.2.132 | CHF.10.64 |
| 125 - 245 | CHF.1.985 | CHF.9.93 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 262-5857
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB023N04NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 122A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 122A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungstransistor von Infineon ist für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert und zu 100 Prozent gegen Lawinen getestet.
Bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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