Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 30 V / 2.4 A 1.25 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
262-6740
Distrelec-Artikelnummer:
304-41-669
Herst. Teile-Nr.:
IRF7503TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

222mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.25W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.8nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Sie hat die kleinste Abmessung, was sie ideal für Anwendungen macht, bei denen der Platz auf der Leiterplatte besonders wichtig ist.

Extrem niedriger Widerstand

Erhältlich als Band und Rolle

Sehr kleines SOIC-Gehäuse

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