ROHM RD3P100SN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 10 A 20 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 264-3813
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3P100SNTL1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
50 weitere Einheiten hinzufügen, um 10% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF 5.71
Auf Lager
- 2'330 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 1.141 | CHF 5.71 | - |
| 50 - 95 | CHF 1.02 | CHF 5.09 | 10% |
| 100 - 245 | CHF 0.798 | CHF 4.00 | 30% |
| 250 - 995 | CHF 0.788 | CHF 3.93 | 30% |
| 1000 + | CHF 0.667 | CHF 3.34 | 41% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-3813
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3P100SNTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | RD3P100SN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 133mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie RD3P100SN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 133mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand von ROHM eignet sich zum Schalten, ist einfach zu steuern und kann Pb-frei beschichtet werden und ist RoHS-konform.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Verwandte Links
- ROHM RD3P100SN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 10 A 20 W, 3-Pin TO-252
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A, 3-Pin TO-252
- ROHM R65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V 26 W, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 53 W, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 53 W, 3-Pin TO-252
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A 94 W, 3-Pin TO-252
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 4 A 58 W, 3-Pin TO-252
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 78 W, 3-Pin TO-252