ROHM RD3P100SN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 10 A 20 W, 3-Pin RD3P100SNTL1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
RD3P100SNTL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

RD3P100SN

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

133mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand von ROHM eignet sich zum Schalten, ist einfach zu steuern und kann Pb-frei beschichtet werden und ist RoHS-konform.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

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