ROHM RD3P175SN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17.5 A 20 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 264-3815
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3P175SNTL1
- Marke:
- ROHM
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.586 | CHF.7.94 |
| 50 - 95 | CHF.1.418 | CHF.7.11 |
| 100 - 245 | CHF.1.113 | CHF.5.54 |
| 250 - 995 | CHF.1.092 | CHF.5.44 |
| 1000 + | CHF.0.935 | CHF.4.66 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-3815
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3P175SNTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | RD3P175SN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 105mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie RD3P175SN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 105mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand von ROHM eignet sich zum Schalten, ist einfach zu steuern und kann Pb-frei beschichtet werden und ist RoHS-konform.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
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