ROHM RD3P175SN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17.5 A 20 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.7.625

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2'455 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.1.525CHF.7.64
50 - 95CHF.1.364CHF.6.84
100 - 245CHF.1.071CHF.5.33
250 - 995CHF.1.05CHF.5.23
1000 +CHF.0.899CHF.4.48

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-3815
Herst. Teile-Nr.:
RD3P175SNTL1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

RD3P175SN

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

105mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand von ROHM eignet sich zum Schalten, ist einfach zu steuern und kann Pb-frei beschichtet werden und ist RoHS-konform.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.