ROHM Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.5 A 1.25 W, 6-Pin SOT-457
- RS Best.-Nr.:
- 264-3865P
- Herst. Teile-Nr.:
- RTQ035P02HZGTR
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
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- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-457 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-457 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der Kleinsignal-MOSFET von ROHM ist ein MOSFET für Schaltanwendungen. Es handelt sich um ein hochzuverlässiges Produkt in Automobilqualität, das nach AEC-Q101 qualifiziert ist. Es handelt sich um ein kleines oberflächenmontierbares Gehäuse mit Pb-freier Bleibeschichtung und ist RoHS-konform.
Niedriger Einschaltwiderstand
Eingebaute G-S-Schutzdiode
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