Microchip TN0606 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 3 A 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 264-8909
- Herst. Teile-Nr.:
- TN0606N3-G
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Beutel mit 1000 Stück)*
CHF.735.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 09. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Beutel* |
|---|---|---|
| 1000 + | CHF.0.735 | CHF.737.10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-8909
- Herst. Teile-Nr.:
- TN0606N3-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | TN0606 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie TN0606 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert-Verbesserungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
2 V maximaler niedriger Schwellenwert
Hohe Eingangsimpedanz
100 pF typische niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundären Störungen
Niedrige Eingangs- und Ausgangslecks
Verwandte Links
- Microchip TN0606 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 3 A 1 W, 3-Pin TN0606N3-G TO-92
- Microchip Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung / 3 A 1 W, 3-Pin TO-92
- Microchip Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung / 3 A 1 W, 3-Pin TP0606N3-G TO-92
- Microchip LP0701 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 16.5 V, 3-Pin LP0701N3-G TO-92
- Microchip VN3205 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 50 V, 3-Pin VN3205N3-G TO-92
- Microchip VN0104 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V, 3-Pin VN0104N3-G TO-92
- Microchip VP3203 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V, 3-Pin VP3203N3-G TO-92
- Microchip TN0604 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V, 3-Pin TN0604N3-G TO-92